by samson » 12 Jul 2009, 21:12
да, на частотах до 100 кГц для транисторных генераторов применяется обычно мост с принудительным возбуждением. если частота еще ниже, до 50 кГц, то тиристорный мост.
на 500 кГц уже лучше было бы на мой взгляд делать схему с индуктивной трехточкой, но слишком хуево я пока изучил повадки силовых транзисторов (на лампах все эти дела сполтычка проходят), чтобы все посчитать. весь пиздеж про почти полную эквивалентность полевиков лампам на практике рассыпается об необходимость сдвига фазы обратной связи не на пи.
грубо - электрическая задача индукционного нагрева - получить в индукторе как можно больший ток ))
в резонансе в приведенном контуре должно херачить около 150 реактивных ампер. а с учетом того, что L2 являет собой воздушный транс 1:6, то получаем в индукторе почти килоампер реактивного тока, чего уже вполне достаточно.
если индукционную катушку поднести к железяке, индуктивность у нее увеличится (правда, обычно железяку вставляют в индуктор, а не наоборот), соответственно уплывет резонансная частота. и при наличии обратной связи это в общем до пизды т.к. можно добиться чтобы частота менялась так, чтобы контур оставался всегда в резонансе (что-то вроде ФАПЧ в радиотехнике). у нас пока нету ОС, поэтому индуктор рассчитан так, чтобы резонанс уплывал по минимуму, т.е. сопротивление индуктора без желески много больше, чем добавляет вносимая желеска. но самое говно здесь заключается в том, выгоднее работать конечно как можно ближе к резонансу (а частота генального возбудителя на 155 логике задается кварцем штоп не плавала), НО если вдруг почему-то рабочая точка окажеццо с емкостной стороны резонанса а не с индуктивной, генератору мгновенно настает пиздец, ибо как уже сказал lvd, запасенной реактивной энергии становится некуда деться.
более того, в процессе нагрева магнитная пронцаемость желески падает с нормального значения (15-500) до 1, что тоже меняет ее эквивалентное сопротивление. но с этим бороцца можно.
короче у меня есть 2 больших проблемы. нет, даже 3 больших проблемы.
1. надо считать переходный процесс в контуре на идеальном воздействии, при том что параметры элементов контура могут сильно плыть в зависимости от нагрузки.
2. надо где-то покурить хорошую современную книшку про расчет мостовых инверторов. хорошего не нашел ничего, все только совковое, либо аппноуты производителей транзисторов, где они повествуют все на своей непонятной мне терминоглогии.
3. почему-то параметры транзисторов на ВЧ, заявленные в даташытах, обычно мало соответствуют тому что я вижу на практике. это сильно затрудняет расчет.
сюда написал потому что вижу што тут пацаны не пальцем деланые сидят, в других местах нет смысла вести подобные беседы, потому что там либо народ не понимает о чем речь, либо есть те кто понимает, но никогда не скажет, бо бизнес блять. а я за свободу интеллектуальной сопственности, все равно никто повторить не сможет, даже если все спиздит. ))
больше всего пока парит 1 пункт, тк ну реально же децкая задача, а запрягает так што хз че делать, дибилом себя чувствую.